珠海方唯成半导体材料有限责任公司

珠海方唯成半导体材料有限责任公司（下称公司）由全球最大金属镓生产供应商（珠海经济特区方源有限公司）联袂全球 GaN 晶体生长技术领先的日本商社（RISE SEMICON株式会社）合资（出资比例：中方 85%、日方 15%）设立，公司承担的 GaN 自支撑衬底项目（下称项目）集金属镓资源优势和全球领先 GaN 晶体生长技术优势于一体，是瞄准潜力巨大的第三代半导体材料 GaN 自支撑衬底市场的全新建设项目。项目总投资约 13 亿元人民币，将分步建设完成 GaN自支撑衬底产品量产和其相关延伸产品生产、研发能力，最终形成年产GaN 自支撑衬底 2.1 万片的生产线，年产值将超过 10 亿元人民币。