岗位职责:
1.主导硅基电容或IPD(集成无源器件)的产品开发,不限于设计仿真、工艺实现、测试验证等方面;
2.聚焦攻克宽频电容、高密度电容、低损耗传输线等核心技术难题,实现产品性能突破与技术升级;
3.设计并验证薄膜沉积(CVD/PVD)、光刻、蚀刻等核心工艺方案,解决工艺稳定性、均匀性及良率问题;
4.构建工艺-器件-性能的关联模型,通过DOE实验和数据分析持续优化工艺窗口,为产品提供高竞争力的解决方案。
任职要求:
1.硕士及以上学历,电子信息等理工科专业;
2.5年以上硅电容或IPD产品(集成无源器件)的开发经验,精通产品工作原理、性能特点和相关技术,具备解决该产品技术问题的能力;
3.具有专利和技术成果转化者优先录用;
4.如工作经验丰富,可适当放宽学历要求。