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COMOS工艺开发工程师

1.9-3.5万
  • 成都双流区
  • 5-10年
  • 本科
  • 全职
  • 招1人

雇员点评标签

  • 同事很nice
  • 工作环境好
  • 人际关系好
  • 氛围活跃
  • 团队执行强
  • 实力大公司
  • 交通便利
  • 准时发工资

职位描述

嵌入式存储高压器件集成BCD
岗位职责:
1.负责CMOS产品相关单项工艺调试及整套工艺平台的开发,制定工艺参数规范,完成开发目标;
2.负责和模组沟通对CMOS平台相关工艺进行优化以改善工艺窗口;
3.负责嵌入式存储(eFlash)工艺开发和优化;
4.主导BCD工艺开发和工艺优化;
5.负责客户新产品的导入与开发;
6.平台技术开发相关的在线lot处理工作;
7.负责WAT测试程式建立,数据分析和DOE实验设计;
8.负责器件性能优化,SRAM良率提升,可靠性验证等分析工作。
9.负责eFlash存储器IP导入和工艺开发;
10.负责量产工艺和产品的工艺转移、资料交接和后期技术支持;
任职要求:
1.学历要求:本科及以上学历,电子信息、微电子、物理、材料等理工科相关专业,具有半导体物理及器件物理、集成电路制造等相关知识储备;
2.工作经验:
(1)5年以上半导体工艺开发经验,至少3年MCU/SoC专项经验(55nm及以下节点)。
(2)精通以下至少两个模块:嵌入式存储工(eFlash/MTP/EEPROM)
高压器件集成(LDMOS/BCD)
(3)有55nm MCU 车规工艺(IATF 16949)或工业级认证经验者优先。
3.专业技能:
(1)掌握核心工艺设备(光刻/刻蚀/离子注入)及电性测试工具(参数分析仪、晶圆探针台)。
(2)熟悉CMOS工艺开发流程;
(3)熟悉WAT Testkey 结构和WAT电性分析方法;
(4)理解MCU架构及关键IP的工艺影响。
(5)熟练掌握项目管理方法,具备出色的团队协作精神与沟通能力;
(6)有55nm及以下节点CMOS相关工艺 TD或PIE经验者优先。
4.语言能力:
具备良好的英语听说写能力;
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工作地点

成都市-双流区-综保横路168号

职位发布者

张女士/HRBP

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