工作地点:成都
学历要求:硕士+
职位年薪:35-50w
工作内容:
1、负责高效率GaN功率放大器内匹配设计,包括器件选取、器件建模、内匹配电路设计及性能验证;
2、主要设计产品包括:GaN内匹配放大器及GaN单片放大器等;
3、负责有源电路GaN管芯和无源匹配电路多工艺的联合仿真设计;
4、具备高效率GaN功率放大器内匹配测试和调试的能力。
职位要求:
1、微电子、电子工程、通讯、微波类等相关专业,硕士及以上学历;
2、从事氮化镓(GaN) 内匹配放大器设计、GaN单片电路设计等相关经验者优先;
3、熟练使用设计和电磁仿真软件(ADS、HFSS、Cadence等);
4、细心严谨、踏实肯干、有责任心、具有团队合作精神和良好的沟通能力;
5、使用过国产GaN工艺(三安、能讯、集迈科等)设计GaN内匹配功率放大器成功者优先。