岗位职责
1、负责 PVT 法生长导电型、半绝缘型 SiC 单晶的工艺配方设计、开发及实验验证,持续优化晶体生长工艺参数;
2、制定、修订晶体生长全流程(装料、升温、生长、冷却)的标准化作业程序(SOP),保障工艺执行的规范性与稳定性;
3、针对晶体质量不合格等重大生产异常,开展根本原因分析,制定并落地整改方案;
4、结合工艺需求提出设备改进建议,推动设备迭代升级,提升晶体生长效率与质量;
5、组织内部技术培训,分享晶体生长专业知识与实操经验,提升团队整体工艺技术水平。
任职要求:
1、硕士及以上学历,化工、材料、过程控制等相关专业;
2、3年及以上相关工作经验,深入理解晶体生长理论、固态相变、缺陷形成机理,掌握半导体物理基础、热力学与传热学核心知识;
3、能够独立解读晶体质量检测报告,并精准关联工艺环节进行问题分析;动手能力强,适应生产现场工作环境,具备良好的抗压能力;
4、具备严谨的逻辑分析能力、问题解决能力,良好的沟通协调能力及团队协作意识。