FAE（MOS管）

深圳市朗帅科技有限公司于2014年5月19日成立，注册资本2000万；在2018年获得国家高新技术企业认证，于2023年取得国家专精特新企业认证。已获授权发明专利、实用新型、软件设计等专利52项，涉足并历经进口国际品牌分销、国产品牌代理及方案推广、功率器件研发设计及销售等全链条运营；公司运营总部位于深圳，在武汉、合肥、常州、宁波、温州、香港等地设有办事处。励志于成为半导体研发设计行业国际知名的民族自主品牌，助力信息社会发展。2018年成立朗帅华晶事业部，立足于功率半导体元器件研发设计、封装测试及销售，公司产品包括 Trench MOS/SGT MOS/Super Junction MOS/ Planar MOS等系列产品。公司布局第三代半导体碳化硅：专精于深沟槽式SiC领域的研发设计，携手国内外一线的功率器件晶圆及封测厂商，以客户需求为导向定制功率器件，并提供变频、电动主驱整体解决方案。产品有SiC MOS、IGBT单管、IPM智能功率模块、IGBT模块等全线覆盖；公司瞄准第四代半导体氧化镓的技术方向。公司科研人员在产品研发设计和行业销售方面具有丰富的行业经验，立足于通用型器件设计，并着眼前沿技术研发，配有专业AE/FAE团队，提供产品验证和客户支持。目前产品广泛应用三大块，消费类电子、新能源、工业控制类。