从事氮化镓HEMT芯片技术的开发，实现新型的氮化镓器件。 职责描述： 1. 负责氮化镓器件设计、仿真和制程工艺研发； 2. 氮化镓器件测试、封装应用及可靠性研究； 3. 器件性能及工艺稳定性持续提升； 4. 设计硅基氮化镓器件的结构和工艺流程； 5. 测试与工艺数据分析，确保开发的工艺流程的可靠性与重复性； 6. 与应用工程师相配合，了解应用与客户需求，并对器件做相应的改进。 7. 参与GaN器件工艺平台的开发； 8. 具备解决GaN器件参数优化及器件可靠性提升的能力； 任职要求： 1. 电子科学与技术、电磁场与微波技术和微电子等相关专业 2. 熟练掌握器件测试仪器操作，包括矢量网络分析仪，半导体参数分析仪等 3. 掌握多种工艺不同类型器件建模，熟练掌握GaAs/GaN HEMT器件建模者优先 4. 具有较强的逻辑思维能力和学习能力 5. 会SILVACO，TCAD模拟者优先； 6. 硕士及以上学历