光刻工艺研发工程师

**-**元

北京通州区
3-5年
硕士
招3人

光刻工艺显影工艺曝光工艺半导体/芯片

岗位职责:

1、负责新型存储器研发所需的先进光刻工艺研发；

2、依据研发需求，制定光刻工艺的研发计划，建立并优化工艺条件，保障整体研发进度；

3、依据工艺整合的需求，制定相关工艺规格，对工艺中存在的课题进行攻关，拓展工艺窗口，提升产品良率及性能；

4、对存储器先进工艺前期预研，确定光刻技术路线。探索前沿光刻领域技术进展，研究多种光刻工艺方案，持续推进存储器产线光刻工艺的进步；

5、引入和评估验证新材料、新机台、新功能，并降低工艺成本；

6、分析数据并总结和汇报研发进展，撰写相关论文和申请专利。

任职要求:

1.物理/光学/化工/微电子/材料等理工类相关专业硕士及以上学历；

2.两年以上逻辑或存储半导体行业工作经验，有研发工作经历优先；

3.熟悉半导体工艺流程与光刻工艺。熟悉光刻工艺中的工艺窗口优化，光学临近效应修正，线宽和套刻的控制与改进，光阻的评估与验证；

4.较强的沟通表达能力、组织协调能力和团队合作精神。流畅的英文阅读和写作能力；

5.有期刊论文及专利申请经验者优先。

6. 该岗位需要长期在安徽合肥出差，一年中有半年以上的时间会在合肥，其他时间在北京。五险一金缴纳在北京。在合肥出差期间食宿公司承担。

北京**************

公司介绍

北京超弦存储器研究院于2020年9月在北京经济技术开发区成立。作为产学研合作平台，研究院聚焦国际先进的存储器技术研发和高端人才培养，致力于实现国产存储器芯片制造技术的持续迭代，努力成长为世界存储器芯片的技术创新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技术的尺寸微缩，在DRAM新架构、新材料、新工艺、先进封装、先进光刻技术、近存计算和高带宽存储等领域，对未来DRAM量产技术可能存在的主要路径开展系统的工艺研发和设计-制造协同优化。目前主要的研究项目包括4F2垂直围栅晶体管动态随机存储器、铟镓锌氧场效应晶体管动态随机存储器、横向堆叠单元存储器、垂直围栅晶体管磁存储器等基于新器件结构的存储器制造技术；基于混合键合技术的高带宽存储器芯片和近存计算、存内计算等芯片的设计和制造；以及先进DRAM制造中的关键光刻技术和设计技术方法学研究等。研究院拥有12英寸先进DRAM研发所需的硬件条件，包括传统的1X DRAM 全流程基础工艺和一系列由特种装备构成的短流程特色工艺；设计制造协同优化所需的软件平台；以及具有丰富的芯片工艺和设计研发经验的技术团队。研究院与清华大学、北京大学、中国科学院微电子研究所等国内外领先的高校院所和集成电路行业领军企业建立了紧密的合作关系，开展基于项目的研发合作。同时，研究院与上述三家院所在人才联合培养方面开展了系统而紧密的合作，为产业研究生的培养提供了研发和实训平台。