量测工程师

**-**元 查看薪资
  • 北京 通州区
  • 1-3年
  • 硕士
  • 招2人

职位描述

半导体设备研发芯片
职责描述:
1. 从事DRAM 产品相关的量测工作。
2. 负责 DRAM 芯片研发各阶段的关键参数量测,建立量测Recipe。
3. 负责量测设备的操作、调试、维护与工艺匹配,涵盖 XPS、AFM、XRD,椭偏仪,WAT等专业量测设备,优化设备参数。
4. 开展量测数据的采集、整理、分析与建模,结合 SPC 统计过程控制,挖掘量测数据与 DRAM 工艺缺陷、良率、性能的关联,提供精准的数据分析报告.
5. 对接跨部门协作,与工艺整合工程师、设备工程师及设备厂商沟通协作,同步研发需求,反馈量测问题,推动量测技术与工艺的协同优化并答疑技术难题。
6. 文献调研并整理成报告。
任职要求:
1. 微电子/电子工程/电子信息/物理/光学/材料/化学/等理工科专业,硕士及以上学历,1年以上工作经验。
2. 有FAB量测工作经验,精通椭偏仪、OCD、CDSEM、HVSEM等量测工艺和设备;
3. 具备探索创新品质,擅长沟通协作。

工作地点

工作地点
北京**************
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公司信息

北京超弦存储器研究院

不需要融资 · 100-299人 · 半导体/芯片、半导体/芯片 已审核 已审核

25 个在招职位

公司介绍

北京超弦存储器研究院于2020年9月在北京经济技术开发区成立。作为产学研合作平台,研究院聚焦国际先进的存储器技术研发和高端人才培养,致力于实现国产存储器芯片制造技术的持续迭代,努力成长为世界存储器芯片的技术创新高地。 研究院的研究方向集中于DRAM制造技术的尺寸微缩,在DRAM新架构、新材料、新工艺、先进封装、先进光刻技术、近存计算和高带宽存储等领域,对未来DRAM量产技术可能存在的主要路径开展系统的工艺研发和设计-制造协同优化。目前主要的研究项目包括4F2垂直围栅晶体管动态随机存储器、铟镓锌氧场效应晶体管动态随机存储器、横向堆叠单元存储器、垂直围栅晶体管磁存储器等基于新器件结构的存储器制造技术;基于混合键合技术的高带宽存储器芯片和近存计算、存内计算等芯片的设计和制造;以及先进DRAM制造中的关键光刻技术和设计技术方法学研究等。 研究院拥有12英寸先进DRAM研发所需的硬件条件,包括传统的1X DRAM 全流程基础工艺和一系列由特种装备构成的短流程特色工艺;设计制造协同优化所需的软件平台;以及具有丰富的芯片工艺和设计研发经验的技术团队。 研究院与清华大学、北京大学、中国科学院微电子研究所等国内外领先的高校院所和集成电路行业领军企业建立了紧密的合作关系,开展基于项目的研发合作。同时,研究院与上述三家院所在人才联合培养方面开展了系统而紧密的合作,为产业研究生的培养提供了研发和实训平台。

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工商信息

企业名称 北京超弦存储器研究院
企业类型 民办非企业单位
法人代表 王志华
经营状态 正常
成立时间 2020-09-27
注册资本 400万元
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完善简历

认证资质

营业执照信息

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