模拟设计工程师-Flash存储

岗位职责
1.电路设计： 负责NAND Flash存储芯片中关键模拟电路的设计与实现，包括但不限于：高精度电压/电流基准源、电荷泵、灵敏放大器、高压编程/擦除电路、振荡器、IO接口电路等。
2.仿真与验证： 使用行业标准EDA工具（如Cadence, Synopsys）进行电路前仿、后仿、蒙特卡洛分析、可靠性仿真（如EM, IR-drop）等，确保电路在各种工艺角（PVT）下的性能、功耗和可靠性。
3.版图指导与验证： 与版图工程师紧密合作，指导并审核关键模拟模块的版图设计，确保其符合匹配、隔离、抗 latch-up 等设计要求。
4.芯片测试与调试： 参与芯片测试方案的制定，协助测试工程师进行硅后测试、数据分析、问题定位和性能调优，直至芯片量产。
任职要求
1. 微电子、电子工程及相关专业硕士及以上学历；
2. 5年以上模拟/混合信号IC设计经验，具有NAND Flash或NOR Flash相关芯片设计经验者优先。
3.熟悉CMOS工艺和器件物理，对深亚微米工艺效应有深入理解。
4.精通Cadence Virtuoso, Spectre, APS等IC设计工具。
5.具备丰富的电路仿真和调试经验，熟练掌握各种仿真方法和流程。