更新于 1月15日

SRAM设计工程师

1.5-2.5万·14薪
  • 上海浦东新区
  • 1-3年
  • 本科
  • 全职
  • 招1人

职位描述

存储芯片
岗位职责
1.参与 SRAM 芯片的模块设计工作,包括单元电路设计、存储阵列设计、读写控制模块设计等,协助完成设计方案文档编制。
2.负责 SRAM 相关模块的仿真验证,包括功能仿真、时序仿真、功耗仿真等,整理仿真数据并输出仿真报告。
3.协助进行设计规则检查(DRC)、版图物理验证(LVS)等,配合版图工程师推进版图设计与迭代优化。
4.参与 SRAM 芯片的测试方案讨论与测试数据分析,协助排查设计过程中的技术问题。
5.跟进存储芯片行业技术动态,学习 SRAM 设计相关的新技术、新方法,提升专业技能。
6.完成团队交办的其他与 SRAM 设计相关的技术支持工作。
任职要求
1.本科及以上学历,微电子学、集成电路设计与集成系统、电子科学与技术、半导体物理等相关专业。
2.0-2 年 SRAM 或存储芯片设计相关工作经验;应届生需具备 SRAM 单元设计、存储 IP 设计、集成电路课程设计或相关实习经历者优先。
3.了解 SRAM 设计基本流程,熟悉存储芯片的工作原理,掌握 Verilog/VHDL 硬件描述语言者加分。
4.具备基础的仿真验证能力,了解 Cadence、Synopsys 等主流 EDA 设计工具(如 Virtuoso、HSPICE、Verdi 等)的使用优先。
5.具备良好的逻辑思维能力、技术文档撰写能力,工作认真细致、积极主动,有较强的学习能力和团队协作意识。
6.英语 CET-4 及以上,可熟练阅读英文技术文档

工作地点

浦东新区普冉半导体(上海)股份有限公司

职位发布者

姜成燕/人事经理

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公司Logo普冉半导体(上海)股份有限公司
普冉半导体(上海)股份有限公司是专注于汽车、工业及消费类应用的超低功耗Flash存储器、高安全Flash存储器、高可靠性EEPROM存储器、直流电机驱动及高性能磁传感芯片的无自有晶圆厂半导体设计公司。公司成立于2012年,总部位于上海张江高科技园区,在深圳南山科技园新区设有销售和现场应用服务与支持中心。作为半导体行业创新者,普冉推出业界领先的55nm超低功耗NOR Flash Memory,具备100nA休眠功耗和小于5mA擦写读功耗,广泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家电、太阳能和车载娱乐领域。新一代110nm非易失性EEPROM存储器具备国内领先的400万次擦写寿命、6KV静电防护能力、极低的工作电流和静态功耗,在智能电网、汽车前装、工业控制领域广泛应用。普冉配合国内领先半导体企业开发的40-55nm高安全Flash产品也成为国内金融IC产品打破国外垄断的先行者和贡献者。普冉致力于成为世界领先的利基市场非易失存储器芯片及新型存储器芯片设计公司。
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