TD 离子注入工艺工程师(IMP)(J10652)

**-**元 查看薪资
  • 武汉 江夏区
  • 3-5年
  • 本科
  • 招999人

职位描述

离子注入工艺
岗位职责:
1.配合设计及整合团队,开发稳定的工艺解决方案。
2.协调工厂资源,提高研发产品流片的速度和质量。
3.关注业界的成熟工艺经验和前瞻性工艺成果,提供更优的解决方案。
4.部门内部文件的撰写和维护,新人的培训和带教。
5.完成公司和部门安排的其它任务。
任职要求:
1.电子电气类、材料、物理、化学等理工类专业本科以上学历,4年以上半导体离子注入工艺相关工作经验,有SiC经验者优先。
2.熟悉半导体工艺流程,对半导体离子注入或炉管的常用设备及工艺难点比较了解。
3.具备良好的组织、沟通和协作能力。
4. 具备良好的英语听说读写能力。

工作地点

工作地点
江夏*********************
位置图标

公司信息

长飞先进半导体(武汉)有限公司

未融资 · 1000-9999人 · 半导体/芯片、半导体/芯片 已审核 已审核

40 个在招职位

公司介绍

长飞先进是一家专注于碳化硅(SiC)功率半导体产品研发及制造的企业,具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。 公司拥有国内一流的6/8英寸兼容的产线设备和先进的配套系统,可提供从工业级到车规级的SiC SBD、MOSFET全系列产品,广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。

工商信息

企业名称 长飞先进半导体(武汉)有限公司
企业类型 有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资)
法人代表 庄丹
经营状态 在营(开业)
成立时间 2022-10-25
注册资本 360000万元
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完善简历

认证资质

营业执照信息

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