ICP干法工艺工程师

任职要求：
1.本科及以上学历，微电子、物理、材料科学与工程、化学等相关专业背景；
2.具备2年以上半导体ICP刻蚀工艺实战经验，有光芯片（DFB、EML等）或化合物半导体刻蚀经验者优先；
3.精通ICP刻蚀原理，熟悉光刻胶、金属等掩膜材料特性，并能进行工艺参数设计与优化；
4.熟练使用SEM、AFM、台阶仪等检测设备进行刻蚀形貌、速率、均匀性及选择比的表征与分析；
5.具备扎实的数据分析能力，能熟练使用JMP、Minitab或类似软件进行DOE实验设计及数据分析；
6.拥有强烈的责任心和严谨的工作态度，具备出色的学习能力、沟通能力及团队协作精神，能承受一定的工作压力。

工作时间：8:30-17:30，双休，需要加班，有加班费；
福利待遇：入职缴纳五险一金，补充商业险，定期体检，带薪年假，零食下午茶，不定期团建活动等，给予员工足够的发展平台和晋升空间！