更新于 1月28日

高级研发工程师

1.6-3万·14薪
  • 武汉江夏区
  • 5-10年
  • 硕士
  • 全职
  • 招2人

职位描述

设计研发芯片半导体材料光芯片EMLDFBDBRVCSEL
职位描述:
1. 参与高速率半导体激光器芯片(DFB、EML、DBR、VCSEL等)新产品项目策划和设计(或仿真),产品技术指标评估;
2. 研究并制定产品工艺路线,及时分析产品开发过程中的异常,提出建议和改进意见;
3. 编制相关产品开发文档,编撰相关专利文档;
4. 参与省/市、国家项目的申报工作,编写项目策划书等申报文件,负责项目过程以及项目验收工作。
任职资格:
1、硕士及以上学历,博士更佳,光学、微电子、材料物理、光电信息等相关专业;
2、熟悉半导体材料外延生长、光刻、刻蚀等工艺,对Ⅲ/Ⅴ族半导体材料工艺有所了解;
3、有DFB、DBR、EML、VCSEL、大功率等半导体激光器项目背景为佳。
4、有光电器件、光波导或多物理场仿真项目经验,熟悉comsol、Rsoft或cross light软件,能完成算法及软件的编写为佳。
工作时间:8:30-17:30,双休,需要加班;
福利待遇:入职缴纳五险一金,补充商业险,定期体检,带薪年假,股权激励,项目奖金,工龄津贴,零食下午茶,不定期团建活动等,给予员工足够的发展平台和晋升空间!

奖金绩效

13-15薪,股权激励,项目奖金

工作地点

武汉江夏区楚天传媒科创园

职位发布者

何婉/HR

三日内活跃
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公司Logo武汉国科光领半导体科技有限公司
武汉国科光领半导体科技有限公司由中国科学院半导体所光子集成团队核心力量创办,于武汉东湖高新区注册成立。公司采用IDM模式,涵盖光芯片的研发、设计、制造和销售在内的全部运营业务,主营10G/25G/50G/100G EML、25G DFB、10G/25G DBR、25G VCSEL、大功率激光雷达等系列激光器芯片,定位于25G及以上高端激光器芯片市场。产品可广泛应用于数据中心(云)、电信网络(管)、接入终端(端)领域。公司厂房位置为武汉市东湖高新区湖北日报楚天传媒科创园二期1#厂房一层和二层,总建筑面积5500平米。
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