浙江广芯微电子有限公司

广芯微电子公司建设项目分为二期进行，计划总投资约30亿元，总占地面积148亩。一期新建厂房及配套设施占地3万余平方米，主要面向6英寸特色工艺高端硅基功率半导体器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建厂房及配套设施占地1.4万余平方米，主要面向第三代半导体碳化硅、氮化镓功率器件及8英寸特色工艺高端硅基功率器件，包含中低压分立栅（Split-gate Trench MOS）、超级结（CoolMOS）、高压BCD工艺等。

二期建设全部完成投产后，将实现年产折合6英寸240万片特色工艺硅基功率半导体晶圆及年产3.6万片第三代半导体碳化硅、氮化镓晶圆。从而满足我国面向能源革命、高压轨道交通及特高压电力系统等对功率半导体分立器件、电源管理芯片的需求。

项目建成达产后可形成年产240万片6英寸高端特色硅基晶圆的生产能力，以满足我国面向能源革命、高压轨道交通及特高压电力系统等对功率半导体分立器件、电源管理芯片的需求，预计达产后可实现年营业收入28.5亿元、税收1.1亿元、营业利润2.8亿元，税收1.1亿元，工业增加值7.3亿元，新增就业960余人。