更新时间 6月12日

资深MOS芯片设计工程师

3-6万

济南历下区
5-10年
本科
全职

辐照MOS芯片设计

任职要求：
1.具备扎实的半导体功率器件物理基础，精通功率 MOS 器件基本原理、器件结构设计，熟练掌握抗辐照功率 MOS 芯片设计、辐照加固机理与设计技术，熟悉光刻版图全流程设计
2.熟练使用功率器件仿真软件 Sentaurus、MEDICI，熟练使用 L-edit 等光刻版图设计工具，能够独立完成器件仿真、结构迭代、版图布局设计
3.拥有5 年及以上功率 MOS 芯片设计经验，有抗辐照 MOS功率器件独立设计经验者优先；能独立完成元胞设计、终端结构设计、版图设计、流片分片方案制定，具备2 款及以上成功流片并量产落地经验
4.能够独立对接流片厂、制版厂，制定适配抗辐照工艺的工艺流程、工艺参数与版图规范，完成光刻版制作、外协流片全流程技术对接
5.熟悉不同耐压、电流等级功率 MOS 设计差异，精通高可靠、抗辐照、耐高低温、高成品率军工 / 工业级功率 MOS 设计方法，掌握单粒子、总剂量等辐照效应加固设计手段
6.能够根据芯片测试数据、辐照试验数据、解剖形貌等，定位器件失效、辐照参数衰减等问题根源，迭代优化器件结构与版图设计，确保产品满足抗辐照指标及量产要求
7.具备带领研发团队开展抗辐照功率 MOS、新型特种 MOS产品研发的能力，能够搭建抗辐照器件设计规范、沉淀可复用设计方法，指导团队成员技术成长

8.责任心强，工作认真、严谨细致
9.具备创新思维，能针对抗辐照器件技术难点提出可行解决方案
10.有良好的团队协作、表达沟通、协调推进及学习总结能力
11.热爱技术研发，工作效率高，自驱力强，能承受项目节点压力
12.适应能力强，可快速融入团队、承接新的技术研发任务

岗位职责：
1.根据产品需求，负责抗辐照功率 MOS 芯片器件结构设计、仿真迭代、工艺流程制定、工艺参数确认及版图整体设计
2.负责光刻版工艺制作、外协流片全过程技术对接、方案评审与问题跟进
3.负责芯片测试、辐照试验验证、失效分析、参数衰减问题定位，完成设计迭代与性能优化
4.负责搭建公司抗辐照功率 MOS研发能力，开发系列化抗辐照 MOS功率器件产品，完善器件设计 IP 与技术规范
5.带领现有 MOS 设计团队，完成抗辐照新型功率器件结构的技术拓展与产品落地

福利待遇：一经录用待遇从优，入职缴纳五险一金，可申请员工宿舍，可享受员工培训、节日福利、餐饮补贴、租房补贴、取暖补贴、高温津贴、交通补贴等福利

发展平台：
1.国企平台优势：参与国家级重点项目、与科研院所合作、论坛交流
2.半导体领域核心参与者：深耕芯片设计、制造、封测等关键环节
3.全链条研发保障：实现从晶圆到成品的全流程生产闭环，为技术落地与规模量产提供坚实工艺支撑
4.晋升通道清晰透明：以能力为标尺、以贡献为导向

历下区济南市半导体元件实验所

公司介绍

济南市半导体元件实验所成立于1958年，以生产军用二极管、三极管起步，目前已经形成了以半导体器件芯片生产与封装为主，兼具前端支撑的外壳与引线框架生产、后端器件应用生产的规模化综合性多元化的集团公司---济南晶恒（集团）有限责任公司。主要产品有肖特基二极管、开关及快恢复二极管、双向触发二极管等系列产品、 PNP/NPN硅系列三极管、 QFP/SOT/DIP系列集成电路引线框架、DC/DC、DC/AC开关电源。单位现有职工1032人（其中专业技术人员占50%左右），单位占地面积20多万平方米、净化厂房5600平方米。拥有肖特基二极管、硅PNP晶体管、塑封二极管、框架生产线等九条生产线， 2014年销售收入6亿元，出口3000万美元，其中军品销售收入9000多万元。