SiC MOSFET 研发工程师

1.功率器件设计与仿真
（1）负责SiC MOSFET、SBD等功率器件的结构设计、TCAD仿真分析及性能优化；
（2）进行器件电学特性仿真，包括击穿电压（BV）、导通电阻（RDS(on)）、阈值电压（Vth）、栅氧可靠性等关键参数的仿真优化；
（3）创新器件结构设计，如沟槽栅、屏蔽栅、JFET区优化等，提升器件性能和可靠性；
（4）针对车规级应用需求，优化器件的高温特性和短路耐受能力。
2.版图设计与流片跟进
（1）负责功率器件版图（Layout）绘制，确保版图设计符合工艺设计规则；
（2）制定工程DOE（实验设计方案），与晶圆代工厂（Fab）进行技术对接；
（3）跟进流片进度，协调解决工艺开发过程中的技术问题。
3.测试与特性分析
（1）PCM/TestKey测试和分析，整理工艺和器件测试数据；
（2）负责SiC功率器件的电学特性测试及性能评估；
（3）功率器件SPICE模型提取和验证，为应用工程师提供精准的器件模型；
（4）制定产品测试、可靠性考核计划，协助或主导产品的测试、考核工作。
4.失效分析与可靠性提升
（1）负责SiC功率器件的失效分析（FA），确定失效机理并提出改进方案；
（2）开展高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）、功率循环等可靠性测试与分析；
（3）优化栅氧界面态密度，解决阈值电压漂移问题，提升高温稳定性；
（4）建立产品的寿命模型，评估器件在车规应用场景下的长期可靠性。
5.产品化与技术支持
（1）负责功率器件的新产品和新技术的开发、难点问题的突破；
（2）制定产品的CP（中测）与FT（成测）测试程序与筛选计划；
（3）协助市场和应用端工作，提供相应技术支持文档；
（4）负责公司功率半导体产品的竞争分析、专利撰写工作。

一、工作时间
1.周末双休：8:30-17:30，午休1小时；
2.考勤灵活：项目导向，人性化管理；
3.假期保障：带薪年假、带薪病假、带薪婚育假等齐全。
二、薪酬待遇
1.薪资水平：提供具有行业竞争力的薪酬，年终奖13-16薪，根据个人贡献与公司业绩发放；
2.日常补贴：交通补贴、餐补、油补、通讯补助、差旅补助等；
3.人文福利：定期体检、节日福利、团建聚餐、员工旅游、慰问关怀等。
三、激励政策
1.短期激励
（1）能力突出者调薪机制灵活，不设上限；
（2）不看年限看能力，贡献决定回报。
2.长期激励
（1）核心岗位享有股权激励机会，与公司共成长；
（2）骨干员工可申请购房无息贷款，安家无忧。
四、全面保障
五险一金，补充商业保险，覆盖员工本人及家属。
五、政府支持
1.协助办理合肥市高层次人才待遇申请；
2.协助办理一线城市的人才落户。
六、职业发展
1.双通道发展：专业通道（技术专家）+ 管理通道（团队负责人），路径清晰；
2.培训资源：内外部培训丰富，支持技术交流与能力提升；
3.学历支持：鼓励学历提升和职称考取，公司提供资源协助。