资深芯片设计工程师（外延与功率器件方向）

一、岗位职责
1. 主导硅基功率器件（IGBT、MOSFET、二极管）的器件结构设计、外延层参数优化及性能仿真验证，需熟悉外延工艺（如CVD、MBE等）对器件特性的影响。
2. 针对氧化镓（Ga₂O₃）等宽禁带半导体材料，开发高压低功耗功率器件，解决材料热导率低、P型掺杂难等关键技术问题。
3. 从规格定义到流片量产的全流程把控，包括版图设计、工艺整合、可靠性测试及失效分析。
4. 与工艺、封装、测试团队协同，优化器件性能与成本，推动产品快速落地。

二、任职要求
1. 5年以上硅基功率器件（IGBT、MOSFET、二极管）设计经验，熟悉终端结构（如Fin、复合终端）对击穿特性的影响。
2. 精通TCAD仿真工具（如Sentaurus、Silvaco）及EDA工具链（Cadence、Mentor Graphics）。
3. 熟悉外延层掺杂浓度、晶体结构控制（如应变工程提升载流子迁移率），具备CVD/MBE工艺开发经验者优先。
4. 熟悉氧化镓材料特性（高击穿电场、低导通损耗），有超宽禁带半导体器件设计或流片经验者优先。
5. 本科及以上学历，微电子、电子工程、材料物理等相关专业，10年以上半导体行业经验（硅基方向可放宽至8年）。
6. 至少主导过2个以上功率器件项目从设计到量产的完整周期。
7. 具备技术管理经验，能指导初级工程师并协调跨部门资源，推动技术难点攻关
8. 对行业前沿技术（如碳化硅、氮化镓功率器件）有敏锐洞察力。
9. 熟悉先进封装技术（如Flip Chip、SIP）及信号/电源完整性分析。
10. 了解功率器件热管理方案，如高导热衬底材料（碳化硅）应用。
11. 具备质量管理工具（FMEA、SPC）使用经验。