岗位职责:
1.干法刻蚀工艺:负责干法刻蚀机台的操作、参数调整及流片生产,包括 Si、SiO₂ 、III-V 族半
导体及金属材料的刻蚀工艺;
2.湿法刻蚀工艺:负责特定材料的湿法腐蚀工艺,完成选择性腐蚀或牺牲层释放等工艺步骤;
3.表征与分析:负责扫描电镜(SEM)等表征设备的操作,对刻蚀后的侧壁形貌、深宽比、选择
比、CD 损失等进行精确测量与分析,配合研发人员进行工艺改进;
4.异常处理与监控:处理刻蚀过程中的产品异常,负责刻蚀机台的能力监控与日常维护;
5.文件编制:负责工艺条件优化与改善,编写刻蚀相关的作业标准书和检测报告。
任职要求:
1.教育背景:35 周岁以下,本科及以上学历;光电子、微电子、物理、材料、化学或相关专业背景;
2.干法刻蚀:
(1)深刻理解干法刻蚀原理(ICP、RIE 等),熟悉 Si、SiO、III-V 族半导体(如 GaAs、InP)及各
类金属氧化物的刻蚀机理;
(2)有丰富的干法刻蚀实操经验,能根据材料调整刻蚀气体配比和参数,保证刻蚀速率、选择
比和侧壁形貌的稳定性。
3.湿法刻蚀:
(1)熟悉不同材料的湿法腐蚀配方,能够精确控制腐蚀速率和横向钻蚀。
4.表征工艺:
(1)熟练操作扫描电镜(SEM),具备高质量拍照和准确的尺寸测量能力;
(2)能够通过表征结果分析工艺问题(如刻蚀残留、底切、聚合物沉积等),并提出改进方案。
5.职业素养:具备良好的数据分析能力和逻辑思维,能通过图表数据发现规律;能适应外派工
作、加班及洁净室工作环境;工作严谨,有较强的安全意识。