真空工艺工程师

【核心职责】
1. ICP蚀刻工艺与设备
1.1 负责ICP蚀刻工艺的日常监控与优化，确保刻蚀速率、均匀性、选择比及侧壁形貌满足芯片背面电极隔离要求；
1.2 管理ICP刻蚀设备，处理常见异常（如刻蚀负载效应、微沟槽、聚合物残留、电弧损伤等）；
1.3 制定PM计划及备件管理，提升设备正常运行时间（Uptime）。
2. 刻号工艺
2.1 负责刻号（激光刻号或光刻显影刻号）设备的工艺调试与维护，保证晶圆级标识的清晰度、可读性及位置精度；
2.2 优化刻号参数（功率、频率、速度），避免对芯片有源区造成热损伤或颗粒污染；
2.3 建立刻号质量检查标准，配合后道追溯系统。
3. 撕金工艺
3.1 负责撕金工艺的执行与优化，确保金属剥离（Lift-off）干净、无残留，且不损伤底层介质或电极；
3.2 处理撕金常见缺陷（如金属挂边、剥离不完全、静电损伤），优化浸泡、超声或胶带撕金参数；
3.3 协同前后道（光刻显影、溅射）改善金属线边缘质量。
4. Sputter（溅射）工艺
4.1 负责溅射（种子层/金属层沉积）的工艺开发与量产维护；
4.2 控制薄膜均匀性（≤5%）、厚度精度、应力及颗粒水平，确保为后续电镀或光刻提供高质量金属基底；
4.3 管理溅射靶材、冷却系统及真空泵组，解决靶材中毒、电弧、膜层附着力差等问题。
5. Sputter撕金（剥离）工艺
5.1 负责溅射后撕金工序（即光刻胶剥离前的金属反刻或直接剥离），优化剥离液/溶剂配方、温度、时间及超声辅助参数；
5.2 解决撕金不净导致的短路、残留金属颗粒引发的可靠性问题；
5.3 建立缺陷检测标准（AOI或显微镜），与溅射、光刻工序联动进行良率改善。
6. 站点整合与持续改进
6.1 作为真空站点的技术接口，协调各工序之间的节拍匹配与工艺兼容性；
6.2 编制各工序的SOP、PFMEA及控制计划（CP），培训技术员；
6.3 运用DOE、SPC提升关键工艺能力指数（Cpk），降低站点异常导致的报废率。
【任职资格】
1. 教育背景：本科及以上学历，微电子、半导体物理、材料、真空技术、机电一体化等相关专业。
2. 工作经验：
2.1 ≥3年 LED芯片或半导体行业真空站点实际工作经验；
2.2 必须具备以下至少3项工序的实操经验： ICP蚀刻 / 刻号 / 撕金 / Sputter / 溅射后撕金；
2.3 优先条件： 同时具备ICP刻蚀 + 溅射 + 金属剥离（撕金） 三者经验者可直接录用。
3. 专业技能
3.1 熟悉ICP刻蚀设备的工艺调试与维护；
3.2 熟悉磁控溅射设备的靶材更换、腔体清洁及Recipe优化；
3.3 熟悉撕金/剥离工艺（干法剥离）的关键控制参数，能够快速诊断残留、过刻等缺陷；
3.4 了解光刻、显影、电镀等前后道工艺对撕金质量的影响。
4. 综合能力
4.1 动手能力强，能独立完成腔体拆装、阀门更换、检漏等设备维护工作；
4.2 逻辑清晰，能够建立异常处理的标准化流程（SOP/OCAP）；
4.3 适应洁净室工作，能接受必要的倒班或紧急入厂支持。