研发工程师

专业要求 微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业，具有扎实的物理基础和半导体器件基础
工作经验 5年及以上相关工作经验（能力强可放宽）
工作技能 1、熟悉MOSFET、IGBT、FRD、SIC mos,SIC SBD等功率半导体器件的开发流程；
2、具有模/数电路、电路理论、电力电子等理论基础，熟悉相关规范，对整流器、开关电源等相关项目具有一定经验；
3、熟练使用AD、Cadence等专业软件；
其他要求 有一定实践经验，具有较强的沟通与协作能力。
1、负责IGBT、MOSFET、FRD、SIC MOS、SIC SBD/JBS等功率半导体芯片设计与开发工作，含工艺仿真、结构设计、版图绘制和工艺流程制定；
2、负责解决芯片设计与开发过程中的关键设计、仿真、工艺等技术问题，进行芯片性能分析及优化，确保研发项目的顺利进行；
3、相关专利文件撰写及申请；
4、负责功率半导体器件新技术、新标准、新工具和新方法学的研究及开发。