IGBT/SIC/SGT/MOS器件设计

一、IGBT器件研发（base上海、深圳）：
岗位职责：
1.负责根据公司产品开发流程完成产品开发。
2.负责IGBT器件结构设计并优化工艺流程。
3.负责器件及工艺仿真，版图设计，工艺流程制定以及与代工厂对接沟通流片方案制定及相关事宜；
4.负责制定封装方案以及参数测试规范，分析测试数据；
5.负责制定可靠性考核及产品失效分析方案；
6.负责调整设计和工艺方案，提高产品性能及良率；
7.负责产品定型机量产阶段及量产后，配合相关部门对接沟通相关工作事宜；
8.负责专利的撰写以及协助各部门的技术支持工作以及日常的文档报告输出。
任职要求：
1.半导体物理和半导体器件物理基础扎实，特别是功率器件的理论知识；
2.熟练掌握功率半导体设计开发和工艺流程，熟悉功率半导体器件测试和可靠性考核；
3.有3年以上功率半导体器件设计经验，有成功的600V~3300V IGBT&FRD产品开发及量产流片相关经验；
4.熟练掌握TCAD半导体工艺和器件仿真软件(如Sentaurus),熟悉版图设计工具；
5.具备较强的逻辑思维和归纳总结能力、较强的创新和决策能力以及良好的沟通和抗压能力，工作主动性、执行力和团队协作能力强，做事严谨细致；
6.熟悉IATF16949:2016标准要求和五大核心质量工具，包括APQP&CP、FMEA、PPAP、SPC、MSA,优先。
二、SGT MOS器件设计（base 深圳）
岗位职责：
1、负责SGTmos的设计与开发：器件结构与工艺设计，新
老产品性能优化与良率提升，器件测试与可靠性考核，与
FAE共同完成器件整机应用测试，完成编写产品规格书；
2、与晶圆代工厂和封装代工厂日常对接：设计制定工艺流
程和测试程序，设计流片实验方案与封装实验方案，完成
编写封装规格书与芯片规格书；
3、专利与论文的编写：包括但不限于器件结构、制造工艺、封装结构、产品应用等，研究与分析国内外知名半导体功率器件公司的新技术、新产品、新封装与各类应用；
4、负责协助完成政府项目申报的报告编写，配合质量人员完成质量体系的建立与完善。
任职要求：
1.半导体或微电子相关专业，硕士学历(从业6年以上的可以本科学历);
2.在功率器件领域设计岗位工作3年以上，从事SGT器件的研发设计至少3年时间；有成功的案例
3了解半导体器件的制造工艺流程。熟练掌握TCAD半导体工艺和器件仿真软件(如Sentaurus),熟悉版图设计工具 。
三、IGBT /MOSFET / FRD研发工程师（base 深圳）
岗位职责：
1.配合主管工程师完成IGBT、MOSFET、FRD产品的研发计划及具体执行方案；
2、具体执行IGBT、MOSFET、FRD研发方案，完成版图设计，制定工艺流程等；
3、协调产品在线试流投片，跟进流速，以及监控工艺参数控制情况；
4、对产品芯合格率、产品设计、工艺流程等数据进行收集整理分析；
5、跟进封装、可靠性实验，应用实验，并对实验结果进行初步分析；
6、配合市场部跟进客户对试制样品的反馈信息；
7、拟制所负责产品的标准化文件。
任职条件：
1、微电子学、物理学、电子科学与技术等相关专业本科及以上学历；
2、5年以上IGBT、Planer MOSFET、Trench MOSFET、SGT MOSFET、FRD 开发经验，有成熟案例在市场批量出货；
3、熟悉 APQP流程；
4、熟悉产品参数测试、工艺流程，熟练使用相关值版及仿真软件；
5、拥有团队管理经验，逻辑思维能力强。
四、SIC功率器件研发（base 深圳）
职责描述：
1、负责碳化硅功率器件设计、仿真和制程工艺研发；
2、碳化硅功率器件测试、封装应用及可靠性研究；
3、器件性能及工艺稳定性持续提升；
4、碳化硅功率器件应用开发及推广；
5、擅长以上其一即可。
任职要求：
1、2年以上碳化硅功率器件相关工作经验。
五、SIC功率模块设计（base 深圳）
职责描述：
1、负责SiC功率模块封装开发，与产品线、市场对接、完成封装设计；
2、负责与封装厂对接，实现产品，完成可靠性设计，建立SiC功率模块封装材料的可靠性模型，制定可靠性验证方案，收集分析可靠性数据；
3、解决SiC功率模块封装工艺和材料可靠性失效问题，深入分析失效机理、失效模式和失效模型；
4、研究SiC功率模块封装工艺和可靠性之间的关系，从可靠性角度建立SiC功率模块封装工艺的设计指导；
5、与SiC功率模块封装材料团队，封装工艺团队共同分析产品薄弱环节，提出改进方法。
任职要求：
1、5年以上SiC功率模块设计开发和项目管理经验；
2、在车规SiC模块封装、可靠性验证等方面有丰富经验，能够独立设计结构、电路等，并能了解工程技术平台能力，并实现产品；
3、对功率模块封装技术发展趋势、封装特点和实现、应用需求适配性有全面的认知，了解IGBT/SIC功率模块工作原理，对IGBT/MOS芯片特性、功率模块内部布局、功率模块关键组成材料特性、后续技术发展趋势有深入理解。。