一、理论基础;
1、电磁学、电动力学、磁性材料物理、半导体物理、传感器原理
设计能力
2、磁传感器敏感单元设计、磁路仿真(Ansys/Maxwell)、ASIC协同设计
工艺制备
3、熟悉TMR/AMR/GMR/霍尔等磁传感器制备工艺、MEMS工艺、薄膜制备
电路设计
4、信号调理电路设计、PCB设计(Altium/Cadence)、嵌入式系统开发
测试表征
二、项目经历:
1、磁性能测试、可靠性验证、温漂/噪声分析、标定技术1、磁传感器芯片设计:TMR/AMR/GMR/Hall等敏感单元设计经验
2、电磁仿真项目:使用Ansys Maxwell等工具进行磁场设计与优化
3、工艺开发:晶圆级工艺对接、薄膜沉积、刻蚀工艺优化
4、系统集成:传感器+ASIC+算法完整解决方案开发
5、量产经验:从研发到量产的技术转化、良率提升、成本控制
三、工作经验:
3-5年:磁阻/霍尔传感器、MRAM或磁记录行业经验
5年以上:独立主导传感器产品研发到量产全流程
加分项:有磁悬浮轴承、汽车电子、工业控制等领域传感器开发经验
四、简历量化成果:
• 主导X款磁传感器从研发到量产,良率提升至X%
• 完成X项磁路仿真优化,灵敏度提升X%
• 申请X项传感器相关专利