低维材料器件研发工程师

☆☆☆本岗位具体薪资面议☆☆☆

任职要求：

1、已获得或即将获得博士学位（材料科学与工程、微电子学与固体电子学、凝聚态物理、纳米科学与技术等相关专业），博士期间研究方向聚焦碳纳米管器件（或低维材料界面物理/化学）、半导体器件等领域。
2、具备扎实的碳纳米管基础理论知识，深入理解碳纳米管的电学、力学、化学特性，明确碳纳米管器件接触/栅极界面的核心科学问题。
3、有相关科研经验优先：参与过碳纳米管/低维器件制备、界面调控、性能优化相关课题，熟练掌握器件光刻、ALD、退火等制备工艺，具备独立设计实验、解决实验难题的能力。
4、熟练掌握至少1-2种界面表征技术（如电导、脉冲、charge pumping、1/f、BTI等）和电学测试方法，能独立完成实验数据处理、分析及论文撰写。
5、具备良好的英文读写与学术表达能力，博士期间以第一作者（或通讯作者）发表过至少1篇SCI论文（与碳纳米管、低维材料器件界面相关优先），有发明专利申请经验者加分 。

☆☆☆优先条件（满足其一即可）☆☆☆

①博士期间专注于碳纳米管器件接触电阻调控、栅极界面改性相关研究，有明确的原创性研究成果。
②熟悉二维材料与碳纳米管异质界面构建，或具备器件封装、长期稳定性测试相关经验。
③有国家级科研项目参与经历，或具备跨学科（材料+电子+物理）研究背景。