TD 芯片新技术开发经理(J10597)

3-6万·15薪
  • 武汉 江夏区
  • 5-10年
  • 本科
  • 全职
  • 招1人

职位描述

器件设计SIC
岗位职责:
1.根据国际前沿技术和市场热点,负责SiC SJ/Trench研发方向制定;
2.根据公司产品路谱和发展需求,负责SiC SJ/Trench产品开发;
3.负责SiC SJ/Trench产品IP建设,结构、版图设计,负责参数仿真和可靠性设计;
4.负责SiC SJ/Trench Mos 工艺流程设计,配合Fab拉通工艺;
5.负责内外部研发项目申报,执行,结项工作。
任职要求:
1.学历、专业:硕士及以上学历,电子、通信、微电子、物理等专业背景;
2.工作经验:硕士6年以上,本科10年以上相关经验,对SJ/Trench国际前沿技术有深入的了解和研究,具有创造性思维;
3.专业知识及技能:掌握功率器件IGBT、MOS、Diode等器件结构原理,并有较深理解,掌握TCAD和版图相关工具,高压器件经验最优;
4.通用能力及素质:良好的沟通协调能力和书面表达能力,良好文献检索能力,较强的分析和解决问题能力;
5.语言要求:良好的英语读、写能力,CET6及以上。

工作地点

工作地点
江夏区武汉市东湖新技术开发区(长飞先进半导体)
位置图标
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公司信息

长飞先进半导体(武汉)有限公司

未融资 · 1000-9999人 · 半导体/芯片、半导体/芯片 已审核 已审核

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公司介绍

长飞先进是一家专注于碳化硅(SiC)功率半导体产品研发及制造的企业,具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。 公司拥有国内一流的6/8英寸兼容的产线设备和先进的配套系统,可提供从工业级到车规级的SiC SBD、MOSFET全系列产品,广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。

工商信息

企业名称 长飞先进半导体(武汉)有限公司
企业类型 有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资)
法人代表 庄丹
经营状态 存续
成立时间 2022-10-25
注册资本 36亿元
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认证资质

营业执照信息

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