TD 器件设计工程师(沟槽方向)(J10628)

2-4万·15薪
  • 武汉 江夏区
  • 1-3年
  • 本科
  • 全职
  • 招1人

职位描述

芯片器件设计
岗位职责:
1.根据公司产品规划和业务发展需求,负责SiC Mos和SBD设计,包括芯片结构、电学参数和可靠性设计;
2.负责SiC Mos和SBD芯片开发项目的立项,项目推进和结项;
3.负责与PIE、Fab沟通产品流片需求,与测试和可靠性工程师沟通测试需求;
4.支持产品售前推广,售后失效分析。
任职要求:
1.学历专业:硕士及以上学历,电子、通信、微电子、物理等专业背景;
2.工作经验:硕士2年以上,本科4年以上相关经验,有沟槽型功率器件设计经验优先;
3.知识技能:掌握功率器件IGBT、MOS、Diode等器件结构原理,并有较深理解,掌握TCAD和版图相关工具;基本掌握QC七大手法使用;
4.素质:良好的沟通协调能力和书面表达能力,良好文献检索能力,较强的分析和解决问题能力;良好的英语读、写能力,CET6及以上。

工作地点

工作地点
江夏区武汉市东湖新技术开发区(长飞先进半导体)
位置图标
完善简历

公司信息

长飞先进半导体(武汉)有限公司

未融资 · 1000-9999人 · 半导体/芯片、半导体/芯片 已审核 已审核

72 个在招职位

公司介绍

长飞先进是一家专注于碳化硅(SiC)功率半导体产品研发及制造的企业,具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。 公司拥有国内一流的6/8英寸兼容的产线设备和先进的配套系统,可提供从工业级到车规级的SiC SBD、MOSFET全系列产品,广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。

工商信息

企业名称 长飞先进半导体(武汉)有限公司
企业类型 有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资)
法人代表 庄丹
经营状态 存续
成立时间 2022-10-25
注册资本 36亿元
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认证资质

营业执照信息

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