数字电路设计 / 非易失性存储器（NVM）工程师

岗位职责：
1. NVM IP集成与开发：负责NVM IP（如efuse、EEPROM、Flash）的集成、定制化设计与验证；参与存储器阵列及外围模拟电路的前仿真与优化。
2. 版图协同与后仿：指导版图工程师完成物理设计，提取寄生参数并进行后仿真验证，确保电路性能与版图实现的最佳匹配。
3. 芯片测试与可靠性分析：参与流片后芯片的功能、性能测试，负责早期失效分析、可靠性测试（数据保持、耐久性等）及问题定位。
4. 算法优化与车规支持：优化NVM控制算法，提升读写效率与可靠性。
任职要求：
1. 微电子、电子工程、物理、材料等相关专业，硕士及以上学历。（优秀应届生/实习生可考虑）。
2. 熟悉EEPROM、NOR Flash等NVM存储单元的编程/擦除机制及阵列架构。
3. 具备扎实的数字/模拟/数模混合电路设计基础，有RTL设计（Verilog/VHDL）经验者优先；
4. 熟悉参考源、放大器、振荡器、电荷泵等核心电路的设计或流片经验者优先；
5. 熟练使用Synopsys/Cadence/Mentor等EDA工具（如Virtuoso、Spectre、Hspice、Calibre），能独立完成电路设计、仿真及验证；了解数字后端流程（DC、PT、Formality等）或存储器内建自测试（MBIST）者加分。
6. 具备强烈的自我驱动力和学习能力，能够主动钻研技术难题；具有良好的团队协作精神及高效的沟通能力。