更新于 8月13日

传感器件研发工程师

1.4-2.5万·15薪
  • 杭州临安区
  • 3-5年
  • 硕士
  • 全职
  • 招1人

职位描述

电子/半导体/集成电路
岗位职责:
1、负责拟定磁电阻传感器新技术、新器件、新工艺的设计,对相关技术进行评估,参与薄膜开发、器件设计、测试分析等工作,指导生产过程;
2、负责相关部门、客户、供应商进行沟通和合作,时刻关注新技术、新工艺、新产品的研发进展;
3、指导并参与研发案例的实施、分析与诊断工作。
任职要求:
1、熟悉磁电阻传感器(AMR、GMR、TMR)工作原理、器件结构磁调制技术原理;
2、精通xMR器件的薄膜工艺开发、结构设计、工艺流程及应用;
3、具有良好的SPC、DOE知识和实际应用经验;
3、3年以上相关研发背景,优秀应届博士生可考虑。

工作地点

杭州临安区浙江驰拓科技有限公司

职位发布者

吴先生/招聘HR

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公司Logo浙江驰拓科技有限公司
浙江驰拓科技有限公司成立于2016年,专注于新型存储芯片及相关芯片的研发、生产和销售,面向物联网、人工智能、工业控制及汽车电子等领域提供半导体芯片和应用解决方案。公司总部位于杭州临安青山湖科技城,占地50亩,总建筑面积3.4万平米,并设有无锡分公司。公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台,掌握了MRAM设计、制造全套关键技术,成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列产品并可提供90/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务。公司坚持以市场为导向,全力打造以新型存储芯片及系统为核心的新型存储器生态圈,推动微电子、纳米科技及信息存储技术的发展,为新型处理器架构创新提供器件和技术支撑。团队成员中硕博以上学历占比大于40%,建有国家级博士后工作站。其中核心团队由半导体技术和自旋电子学领域的资深管理和技术专家组成,团队专业领域涵盖器件与电路设计、先进制造工艺、器件与芯片测试以及应用开发等,具备存储器的研发和制造能力。
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