先进封装光刻胶技术研发工程师（FOPLP/CoPoS方向）

【公司简介】​​
我们是一家聚焦于先进半导体封装技术的创新型企业，致力于为AI、高性能计算（HPC）、数据中心等领域提供高性能、高可靠性的封装解决方案。当前核心方向为​​FOPLP（扇出型面板级封装）​​与​​CoPoS（Chip on Panel Substrate）​​技术研发，已实现2微米线宽线距（2μm L/S）的先进封装工艺突破，产品可满足下一代AI芯片、GPU、ASIC等高性能器件的封装与模组需求。公司汇聚全球顶尖半导体人才，拥有完善的研发平台与产业链资源，现因业务快速发展，诚邀光刻胶领域技术精英加入！
​​【岗位职责】​​
​​1、光刻胶材料研发​​：负责先进封装（FOPLP/CoPoS）用光刻胶材料的配方设计与优化，重点突破2μm线宽线距工艺下的高分辨率、低缺陷率、高灵敏度等技术指标。
2、工艺协同开发​​：与封装工艺团队（曝光、显影、刻蚀等）紧密协作，优化光刻工艺窗口（如曝光能量、显影时间、温度等），提升良率与一致性。
3、性能验证与表征​​：主导光刻胶材料的性能测试（如分辨率、线宽均匀性、耐刻蚀性、热稳定性等），利用SEM、AFM、XPS等工具分析失效模式，推动材料迭代。
4、技术难题攻关​​：解决FOPLP/CoPoS工艺中光刻胶相关的关键技术问题（如面板级均匀性、多层堆叠兼容性、高深宽比图形化等）。
5、跨部门协作​​：对接封装设计、生产制造、质量检测团队，推动光刻胶技术与封装工艺的匹配落地，支持客户样品导入与量产。
【任职要求】​​
1、教育背景​​：材料科学、化学工程、半导体物理、电子化学品等相关专业硕士及以上学历，博士优先。
2、​经验要求​​：3年以上半导体光刻胶研发经验，有​​先进封装（FOPLP、CoWoS、EMC等）​​或​​高密度互连（HDI）​​领域光刻胶开发经验者优先；熟悉2μm及以下线宽线距工艺者优先。
3、技术能力​​：
（1）深入理解光刻胶化学原理（如化学放大胶CAR、i-line、KrF等体系），掌握光刻工艺（曝光、显影、后烘）与材料特性的关联；
（2）熟悉半导体封装制程（如晶圆级封装WLP、面板级封装FOPLP），了解2μm线宽线距工艺的关键挑战（如翘曲控制、材料应力）；
（3）精通材料表征技术（SEM/TEM、AFM、XPS、接触角测量等），能独立分析光刻胶性能与失效原因；
（4）熟悉行业技术趋势（如AI/HPC对封装的高带宽、低功耗需求），具备前瞻性技术布局能力。
4、综合素养​​：优秀的逻辑分析与问题解决能力，能主导跨部门项目；良好的英语读写能力（需阅读国际文献/专利）；具备专利撰写或技术论文发表经验者优先。
【​我们提供】​​
1、有竞争力的薪酬​​：年薪20万-60万（具体面议），包含绩效奖金与项目跟投机会。
2、研发资源支持​​：配备先进的材料合成与表征实验室（如光刻胶涂布机、曝光机、纳米压印设备等）。
​​3、职业发展空间​​：参与前沿技术攻关，直接向研发总监汇报，快速成长为领域专家。
4、福利体系​​：五险一金、弹性工作制、年度体检、带薪培训、员工股权激励计划。
5、行业资源​​：与头部晶圆厂、封装厂及学术机构深度合作，参与国际技术论坛与展会。
我们期待与热爱半导体封装技术的您共同定义下一代高性能计算的核心基石！​