徐州致能半导体有限公司

徐州致能半导体有限公司是由具有20年半导体研发经验的海外归国专家黎子兰博士创建，由广东致能科技有限公司与徐州高新技术产业开发区创业发展有限公司共同投资成立。实缴注册资金32000万。公司致力于氮化镓(GaN)功率元器件的研发与生产。

公司技术完全来源于自主研发，具有完全自主知识产权。目前黎子兰博士已经申请专利129余项，其中国际专利申请72余项。形成了3大系列专利技术，在常关型栅结构、高耐压器件、互补性器件与电路这3大核心领域具有全球领先的核心基础专利技术并形成了很高的技术壁垒。公司创始人黎子兰博士毕业于全球最大的独立微电子研发机构IMEC（微电子研究中心），并曾在全球第二大电力电子芯片企业安森美等从事半导体芯片技术的研发，具有20年半导体方面的研发经验。

公司现拥有21000+平方米厂区空间，7500平方米的超级洁净间。生产与辅助设备200余台套（并包含超净间及配套设施等），年产折合6英寸晶圆约30000片。目前公司研发团队成员129人，包括全职博士7人，硕士研究生54人及40多资深工程师共同组建。涵盖了从材料生长、芯片工艺、器件设计、测试表征、封装应用的完整的研发链条。公司至今已投入大量的研发费用，迄今已完成硅基氮化镓高功率大电压常开平面元器件研发，该器件已经交付客户体验。年内将陆续推出常关平面元器件；立体元器件等。