外资汽车电子巨头-失效分析科长（IGBT， MOSFET， SiC）

招聘岗位：失效分析科长（IGBT， MOSFET， SiC）
岗位职责：
1、主导失效分析项目： 负责从现场返回或生产线上的失效分析工作，制定分析计划，执行分析流程，并撰写详细的失效分析报告。
2、深度技术分析： 运用各种工具（如示波器、X-Ray、SEM/EDS、曲线追踪仪等）对失效件进行电气性能、物理和化学分析，确定失效位置和失效模式（如过压击穿、过热、键合线脱落等）。
3、根因调查： 运用5 Why、故障树（FTA）、鱼骨图等分析方法，深入探究失效的根本原因，区分是设计缺陷、元器件问题、制造工艺问题、应用误用还是其他原因。
4、跨部门协作： 与研发、设计、工艺、采购和质量团队紧密合作，汇报分析发现，并提供明确、可执行的设计改进和预防措施建议。
5、推动问题解决： 参与8D团队，提供技术证据和支持，跟踪纠正措施的落实情况，并验证其有效性。
6、能力建设： 开发和优化失效分析流程、标准和方法。分享知识，培训初级工程师。失效分析实验室的规划和搭建
7、供应商管理： 与半导体元器件供应商进行技术对接，对其提供的失效分析报告进行审核和质疑。
岗位要求：
1、本科及以上学历，电力电子、电气工程、微电子、材料科学或相关专业。
2、3年以上深厚的电力电子技术基础，精通各种功率半导体器件（IGBT， MOSFET， SiC，）的工作原理和失效机理。
3、丰富的动手操作经验，能熟练使用高压差分探头、电流探头 进行功率电路波形测量和分析，这是核心技能。
4、熟悉至少一种高级分析设备的使用和结果判读（如X-Ray， 超声扫描， 显微镜解密）。
5、具备强大的逻辑分析、问题解决和根因分析能力，思维缜密，注重细节。
6、优秀的书面和口头沟通能力，能够撰写清晰专业的技术报告。
7、英语/日语可作为工作语言。
优先考虑条件：
有使用扫描电镜。
有功率模块封装工艺（如引线键合、芯片贴装、灌封）相关知识。
熟悉FMEA、8D等质量工具。