SiC外延工艺负责人

1. 工艺开发
技术路线规划：制定SiC外延短期与中长期工艺发展路线图，明确技术指标与研发里程碑。
先进工艺开发：主导开发低缺陷密度（TSD/TED/BPD控制）、高均匀性（厚度/掺杂）、快速生长的高质量SiC外延工艺。重点突破厚膜外延、原位掺杂精确控制等关键技术。
新产品工艺导入：负责从工艺开发到中试验证，再到量产放大的全流程，完成工艺窗口定义、稳定性评估及控制计划制定。
前沿技术追踪：密切关注全球SiC外延技术动态（如高速外延、多点注入等），评估其技术可行性与产业化潜力。
2. 生产运营
量产体系建立：建立并维护全套SiC外延量产工艺规范、标准操作程序（SOP）及质量控制点（CP）。
良率提升与成本控制：
主导跨部门（设备、质量、生产）的良率提升专项，运用SPC、FMEA、根本原因分析等工具，持续优化工艺，提升综合良率与产出。
通过优化生长配方、提升设备uptime、降低耗材使用等方式，推动制造成本持续下降。
3. 团队建设与内外部协同
团队管理与发展：制定培训与发展计划，培养核心技术骨干。
跨部门协同：与各部门紧密协作，确保外延工艺与上下游需求（如衬底质量、器件参数）的精准匹配。
客户与供应商技术对接：
支持重点客户的技术沟通，提供外延片应用方案，分析与解决客户端技术问题。
二、任职资格
教育背景：材料科学、微电子、物理、化学工程等相关专业硕士及以上学历。
工作经验：
8年以上半导体外延工艺开发与量产经验，其中至少5年专注于SiC（碳化硅）外延领域。
具备6英寸SiC外延从开发到量产的完整成功经验。拥有8英寸经验者优先。
具有领导良率提升专项并取得显著成果（如缺陷密度降低30%以上，或良率提升10%以上）的已验证案例。
核心技术能力：
精通SiC外延生长机理、缺陷形成与控制（如三角形缺陷、胡萝卜缺陷、台阶聚集等）。
精通CVD外延设备（如Aixtron、LPE、Nuflare等品牌）的原理、操作与日常维护。
熟练掌握外延表征方法（如AFM， PL， Raman， 霍尔测试等）及其数据分析。
精通DOE、SPC、FMEA等工艺开发与质量控制工具。