半导体工艺整合工程师

1、负责碳纳米管MOSFET器件全流程工艺整合，包括光刻、介质层沉积、刻蚀等工序的流程设计、参数调试与兼容性验证。
2、主导开展工艺优化工作，针对器件良率偏低、性能波动、工艺稳定性不足等问题，通过实验设计、数据复盘，定位工艺瓶颈并提出解决方案（如接触优化、界面修饰、工艺参数调整、工序优化等）。
3、负责器件工艺文档的撰写与更新，包括工艺规范（SOP）、实验报告、良率分析报告等，建立完整的工艺数据库，保障工艺可追溯、可复制。
4、配合研发团队完成碳纳米管MOSFET器件性能迭代需求，衔接设计、表征、测试等环节，推动工艺与器件设计的匹配优化；协助量产团队完成工艺放大与落地，解决量产过程中的工艺适配问题。
5、熟练运用工艺表征与电学测试设备（如AFM、SEM、XPS、探针台、半导体参数分析仪等），完成工艺验证、器件测试及数据汇总分析，提炼工艺参数与器件性能的构效关系。
6、参与团队技术交流、项目申报及工艺技术评审，配合完成国家、省部级科研项目或企业量产相关项目的推进工作。
7、博士学历者另要求：能独立承担工艺研发子课题，探索新型碳纳米管MOSFET工艺路线，开展原创性工艺技术研究，撰写高水平学术论文、申请发明专利；指导初级工程师或硕士开展工艺实验。
任职要求：
1、硕士及以上学历，材料科学与工程、微电子学与固体电子学、半导体器件、纳米科学与技术等相关专业，应届生或1-3年相关工作经验均可。
2、具备工艺整合思维，能快速识别各工艺环节的兼容性问题，具备实验设计、参数调试、问题排查与解决的能力（博士需具备独立攻坚能力，硕士需具备协助优化能力）。
3、熟练掌握至少1种半导体工艺相关工具，熟悉光刻、刻蚀、薄膜沉积（PVD/CVD）等基础工艺，能独立操作或协助操作相关工艺设备者优先。
4、能熟练运用器件表征与电学测试设备，具备良好的数据处理、分析与总结能力，能通过数据分析定位工艺问题、优化工艺参数。
5、具备良好的英文读写能力，能阅读英文工艺文献、技术手册；博士需具备英文论文撰写能力，有SCI论文发表或发明专利申请经验者优先。
6、对碳纳米管MOSFET工艺领域有浓厚兴趣，具备严谨的工作态度、较强的责任心和执行力，注重细节（工艺实操核心要求）。
7、具备良好的团队协作精神与沟通能力，能高效对接研发、测试、量产等不同环节的同事，推动工作落地。
8、具备较强的学习能力和抗压能力，能快速适应工艺迭代需求，主动学习新型工艺技术，勇于解决工艺难题。
9、博士学历者另要求：具备较强的创新思维和独立开展工艺研发工作的能力，能主导核心工艺难题的攻坚与技术突破。