半导体器件研发工程师（测试&仿真、IGBT/半导体）

岗位职责：
1. 负责功率模块封装寄生参数（杂散电感/耦合电容）提取与优化，使用ANSYS Q3D/SIwave建立3D有限元模型，目标提取误差<10%；
2. 开展开关暂态特性仿真（Saber/LTPICE），预测开关损耗Eon/Eoff、电压尖峰、振荡风险，指导DBC布局优化与驱动设计；
3. 执行EMI/EMC仿真（HFSS/CST），评估封装近场辐射与抗干扰能力，提出抑制措施（如屏蔽、布局调整）；
4. 设计双脉冲、短路耐受、EMI测试方案，独立测试完成仿真-实测闭环，反向校准模型精度；
5. 建立并维护《电气设计规则库》，形成寄生参数与布局的量化关系（如"功率环路面积每减小1mm²，Lspin降低0.3nH"）；
6. 参与技术评审（TR2-TR5），对电气设计方案进行仿真验证，出具《电气性能评估报告》并参与技术答辩；
7. 支持客户现场技术问题分析，提供电气层面根因判断（如尖峰过高源于寄生电感过大），协助FAE出具分析报告；
8. 研究SiC/GaN高频封装电气设计挑战，提前布局技术预研（如Cu烧结寄生参数建模）。
任职要求：
1. 硕士及以上学历，半导体物理、微电子、固体电子学、电力电子等相关专业；
2. 具备3年以上IGBT或相关功率半导体器件研发经验，熟悉器件仿真设计、版图绘制全流程，具有IGBT模块或芯片量产研发经验者优先；
3. 具备优秀的沟通协调能力与团队协作意识，逻辑思维清晰，具备独立分析与解决复杂技术问题的能力。