更新于 3月17日

FLASH存储开发工程师

1.5-3万
  • 宁波鄞州区
  • 3-5年
  • 本科
  • 全职
  • 招1人

职位描述

C语言理解FLASH存储介质特性熟悉EMMC/UFS/PCIE熟悉存储性能测试熟悉IOMETER、FIOFLASH存储熟悉NAND FLASH计算机软件
一、核心任职要求
1. 学历与专业:本科及以上学历,计算机科学与技术、微电子、软件工程、电子信息工程等相关专业。
2. 工作经验:3年以上FLASH存储(NAND/NOR Flash)开发经验,熟悉SSD、eMMC、UFS或嵌入式FLASH存储产品全生命周期开发流程。
3. 技术基础:精通C/C++编程语言,深入理解FLASH存储介质特性(页/块管理、磨损均衡、坏块处理)及Linux/RTOS操作系统存储子系统。
4. 核心能力:掌握FLASH存储核心算法(FTL、ECC纠错、GC垃圾回收、TRIM),具备存储性能调优、稳定性问题排查实战经验。
二、必备技能
- 熟悉NAND Flash(MLC/TLC/QLC)物理特性、接口协议(ONFI、Toggle)及eMMC/UFS/PCIe NVMe协议栈实现。
- 具备FLASH存储驱动开发经验,能独立完成驱动适配、调试及优化,适配嵌入式设备或服务器存储场景。
- 掌握数据可靠性保障技术(掉电保护、数据冗余、坏块管理策略),解决高写入压力下的存储寿命与稳定性问题。
- 熟悉存储性能测试工具(IOmeter、fio),能针对随机/顺序IO场景进行性能瓶颈分析与优化。
三、加分项
- 有SSD固件开发、FLASH控制器驱动优化或开源存储项目(如OpenSSD)参与经验。
- 深入理解NVMe协议及PCIe总线技术,具备NVMe SSD性能调优或功能开发案例。
- 具备跨团队协作能力,能主导FLASH存储方案选型、技术难点攻坚,有批量量产项目落地经验。

工作地点

宁波鄞州区鄞州科技信息孵化园-D栋

认证资质

营业执照信息

职位发布者

程鹏/人事经理

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