FLASH存储开发工程师

一、核心任职要求
1. 学历与专业：本科及以上学历，计算机科学与技术、微电子、软件工程、电子信息工程等相关专业。
2. 工作经验：3年以上FLASH存储（NAND/NOR Flash）开发经验，熟悉SSD、eMMC、UFS或嵌入式FLASH存储产品全生命周期开发流程。
3. 技术基础：精通C/C++编程语言，深入理解FLASH存储介质特性（页/块管理、磨损均衡、坏块处理）及Linux/RTOS操作系统存储子系统。
4. 核心能力：掌握FLASH存储核心算法（FTL、ECC纠错、GC垃圾回收、TRIM），具备存储性能调优、稳定性问题排查实战经验。
二、必备技能
- 熟悉NAND Flash（MLC/TLC/QLC）物理特性、接口协议（ONFI、Toggle）及eMMC/UFS/PCIe NVMe协议栈实现。
- 具备FLASH存储驱动开发经验，能独立完成驱动适配、调试及优化，适配嵌入式设备或服务器存储场景。
- 掌握数据可靠性保障技术（掉电保护、数据冗余、坏块管理策略），解决高写入压力下的存储寿命与稳定性问题。
- 熟悉存储性能测试工具（IOmeter、fio），能针对随机/顺序IO场景进行性能瓶颈分析与优化。
三、加分项
- 有SSD固件开发、FLASH控制器驱动优化或开源存储项目（如OpenSSD）参与经验。
- 深入理解NVMe协议及PCIe总线技术，具备NVMe SSD性能调优或功能开发案例。
- 具备跨团队协作能力，能主导FLASH存储方案选型、技术难点攻坚，有批量量产项目落地经验。