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更新于 1月20日
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先进封装互联技术研发工程师(FOPLP/CoPoS方向)
1.5-3万
南通
通州区
3-5年
硕士
全职
招1人
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职位描述
FOPLP
COPOS
封装工艺
芯片封装
电子/半导体/集成电路
【公司简介】
我们是一家专注于先进半导体封装技术的创新型企业,聚焦AI、高性能计算(HPC)、数据中心等前沿领域,核心布局FOPLP(扇出型面板级封装)与CoPoS(Chip on Panel Substrate)技术研发,已突破2μm线宽线距(2μm L/S)先进封装工艺。随着AI/HPC芯片对高带宽、低功耗、高集成度需求的激增(如HBM3e、CoWoS-S封装),先进封装互联技术(涵盖微凸点、TSV/混合键合、厚铜互连等)成为实现芯片间高效通信的核心瓶颈。现因业务快速发展,诚邀互联技术领域的顶尖人才加入,共同突破“芯片互联”技术边界!
【岗位职责】
1、互联工艺开发与优化:负责FOPLP/CoPoS等先进封装中互联工艺(如微凸点(Micro-Bump)、硅通孔(TSV)、混合键合(Hybrid Bonding)、厚铜互连等)的设计与优化,突破高深宽比填充(如TSV深宽比≥10:1)、低应力沉积(如铜电镀、阻挡层)、高可靠性键合(如混合键合界面压力≤10MPa)等技术瓶颈,实现2μm及以下线宽线距的高密度互连(如微凸点间距≤20μm)。协同材料团队开发适配先进封装的互联材料(如低介电常数(low-k)介质、高导热键合界面材料),优化电镀液配方、溅射工艺参数、退火曲线等,提升工艺一致性与良率(目标≥95%)。
2、设备与制程协同:对接设备厂商(如应用材料、东京电子),优化互联工艺设备(如电镀机、键合机、TSV刻蚀机)的参数配置(如电镀电流密度、键合温度/压力),解决大尺寸面板(如FOPLP 500mm×500mm)的均匀性难题(如电镀厚度偏差≤5%)。与封装设计(DFM)、工艺整合(PIE)团队协作,确保互联工艺与封装整体方案匹配(如TSV位置与芯片布局的协同、微凸点与塑封料的兼容性)。
3、可靠性验证与失效分析:主导互联结构的可靠性测试(如热循环(-55℃~150℃,1000次)、机械冲击(1000G)、电迁移(EM)/电迁移空洞(TDDB)),利用TEM、EBSD、3D-SEM等工具分析失效机理(如界面开裂、金属间化合物(IMC)过度生长),推动工艺迭代(如优化UBM层厚度抑制IMC生长)。结合电性能测试(如信号完整性、插入损耗)与可靠性数据,建立互联缺陷-失效关联模型,输出良率提升方案(如识别影响信号完整性的关键工艺参数)。
4、技术前瞻布局与创新:跟踪行业趋势(如2.5D/3D封装、异构集成、CPO共封装光学),研究新型互联技术(如纳米铜键合、自组装分子层(SAM)界面改性、光子互连),为公司技术路线图提供决策支持(如评估混合键合替代传统凸点的可行性)。参与国际技术论坛(如ECTC、IMAPS)及标准制定(如SEMI关于先进封装互联的规范),提升公司在互联领域的技术话语权。
5、跨部门协作与量产支持:支持客户样品导入与量产爬坡,解决产线互联相关问题(如散热不均、信号串扰),提供现场调试与培训(如协助客户优化芯片倒装焊工艺)。推动互联技术与客户需求深度绑定(如针对AI芯片的高带宽需求,开发低延迟互联方案)。
【任职要求】
1、教育背景:材料科学与工程、电子科学与技术、微电子、物理等相关专业硕士及以上学历,博士优先;有微纳制造、电化学、表面物理等交叉背景者优先。
2、经验要求:3年以上半导体封装互联工艺研发经验,有先进封装(FOPLP、CoWoS、EMC、HDI)或高可靠性互连(如汽车电子、AI芯片)领域经验者优先;熟悉2μm及以下线宽线距下互联工艺(如微凸点间距≤20μm、TSV孔直径≤5μm)者优先。
3、技术能力:
(1)深入理解互联核心工艺(电镀、溅射、键合、退火)的物理/化学机制,掌握微纳尺度下金属/介质生长(如铜柱填充、阻挡层沉积)与界面反应规律(如UBM与芯片金属的结合机理);
(2)熟悉先进封装制程(如TSV刻蚀、晶圆减薄、塑封料(EMC)特性),能分析互联与封装其他工序(如塑封、表面处理)的兼容性问题(如塑封料应力对TSV的影响);
(3)精通可靠性测试标准(如JEDEC JESD22、AEC-Q100)与失效分析方法(如FIB-TEM、XPS深度剖析),能主导DOE实验设计优化工艺窗口(如电镀添加剂浓度对填充完整性的影响);
(4)了解行业技术动态(如混合键合替代传统凸点的趋势、低k介质对互联的挑战),具备技术创新与专利布局能力(如申请关于混合键合界面优化的专利)
4、综合素养:优秀的跨部门沟通与项目管理能力(协调材料、设备、工艺、测试团队);良好的英语读写能力(需阅读国际期刊/专利,如《IEEE Transactions on Advanced Packaging》);具备技术论文发表或专利撰写经验者优先。
【我们提供】
1、行业竞争力的薪酬:如果您是我们寻找的高手,薪资将不是您需要担心的问题。我们乐于与您共同探讨一个能匹配您价值的方案,包含绩效奖金、项目跟投权及核心技术岗位津贴。
2、顶尖研发资源:配备先进的互联工艺实验室(电镀线、溅射台、键合机、3D-SEM/FIB设备)、可靠性测试平台(热循环/机械冲击试验箱、信号完整性测试仪)及仿真工具(COMSOL、ANSYS)。
3、职业成长空间:参与前沿技术攻关(如2.5D CoWoS混合键合、FOPLP大尺寸面板微凸点互连),直接向研发副总汇报,快速成长为互联领域专家。
4、完善福利体系:五险一金、弹性工作制、年度健康体检、高端技术培训(如国际封装会议、设备厂商认证)、员工股权激励计划。
5、产业资源支持:与全球头部晶圆厂(台积电、三星)、封装厂(日月光、长电科技)及材料巨头(如安森美、京瓷)深度合作,提供技术交流与国际项目机会。
我们期待与您共同攻克先进封装“互联”难题,为AI/HPC芯片提供更高效的“神经网络”!
工作地点
南通通州区江海圆梦谷
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制局半导体凭借强大的实力与卓越的战略布局,在江苏常州及南通均设有公司,其中制局半导体(南通)有限公司是制局半导体(江苏)有限公司全资子公司。拥有雄厚的实力及广阔的发展前景,无论是常州的文化底蕴与现代活力,还是南通的独特风情与发展机遇,都能满足您对生活的多元追求。可以根据自身的职业规划、生活偏好等因素,综合权衡后做出最适合自己的抉择。我们热忱欢迎您加入制局大家庭,一同在这里铸就辉煌的职业篇章,实现自己的人生价值。期待您的踊跃投递,开启您在制局半导体的精彩职业生涯之旅!制局半导体团队自2015年归国后,始终致力于为客户提供优质异构系统集成模组整体解决方案,含设计、仿真、先进封装制造、功能认证、性能测试,2016年即完成行业首条线宽线距5微米FOPLP生产线通线并商用交单。制局半导体以小芯片设计和先进封装制造为基础的异构系统集成方案是集成电路后摩尔时代产业可持续高速增长方向。根据Yole的预测,高端封装市场规模将从2023年的43亿美元增长至2029年的280亿美元,年增长达37%。根据martket.us的预测,全球Chiplet市场规模将由2023年的31亿美元增长至2033年的1070亿美元,年增长约42.5%。制局半导体是小芯片和异构集成技术先行者,提供系统芯片及模组整体解决方案,涵盖硅介质层或玻璃基板 2.5D模组;高密度扇出多层重布线的模组;桥接功能模组。项目技术平台融合FOPLP、Bumping、TSV/TGV、2.5/3D、Embedded等,实现PMIC、射频、SiC、GaN、GPU、CPU模组制造。制局FOPLP技术在提升芯片功能密度、缩短互联长度以及进行系统重构等方面均展现出显著优势,符合AI时代对芯片性能要求。
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