广州英诺创科先进材料科技有限公司
企业暂未入驻
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20人以下
公司介绍
广州英诺创科先进材料科技有限公司,成立于2023年2月,位于广州市黄埔区永丰路2号,是一家中美合资企业,由国家友谊奖获得者发起创立,创始团队为业内深耕20余年的资深人士。
聚焦功率半导体用陶瓷基板材料的研发、生产和销售,核心业务围绕IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC大功率半导体展开,致力于提供高性能、高可靠以及低成本的陶瓷基板及解决方案;产品面向功率半导体器件IGBT和SiC模块应用,广泛覆盖电动汽车、轨道交通、航空航天、风能及太阳能发电等领域,客户涵盖国内半导体芯片封装与制造企业、电动车生产商、光伏风电等多领域市场主体。
属于半导体/芯片行业,位列广州材料科技公司人气排名第74名、广州先进材料公司人气排名第8名;产品应用场景覆盖多个高景气核心赛道,客户群体涵盖产业链上下游多类核心市场主体。
拥有多项自主知识产权和专利技术,例如取得授权公告号为CN119977598B的“一种氮化硅陶瓷的绿色制备方法”专利;2024年初完成估值2亿的Pre-A轮融资,计划开展A轮融资,目前正在广州市黄埔区新建项目,为研发生产、人才引进提供持续助力。
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工商信息
企业名称 广州英诺创科先进材料科技有限公司
法人代表 HUANG DAI
成立时间 2023-02-23
企业类型 有限责任公司
经营状态 存续
注册资本 215.45万元
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公司地址
广州市黄埔区永丰路2号B栋101房、201房

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