MEMS传感器技术研发岗

一、应聘基本资格：
（1）爱岗敬业，工作认真负责，富有团队协作精神，具备良好的职业道德操守，遵守中国科学院和研究所制订的各项规章制度，具有扎实的专业知识，且对学科进展和发展趋势有一定的了解。
（2）硕士研究生及以上，一般应在2026年8月1日前取得相应学历学位证。
（3）年龄在35岁以下，条件突出者可适当放宽。

二、岗位职责：
（1）MEMS传感器敏感芯片设计与工艺开发；
（2）MEMS电容式检波器设计与工艺开发；
（3）ASIC电路设计，数字IC设计综合和仿真验证、IC测试系统设计制作和IC测试。

三、应聘条件：
（1）专业背景：电子科学与技术类、材料科学与工程类、仪器科学与技术类、控制科学与工程类、微电子学与固体电子学、光学工程类、机械设计及理论、机械电子工程等；
（2）具有MEMS传感器敏感芯片布线图设计与绘制能力；具有相关MEMS电容式检波器设计、仿真与制作能力；具有低噪声MEMS传感器系统开发与测试能力；
（3）具备专用集成电路（ASIC）开发能力；熟悉或掌握数字/模拟电路IC仿真与设计技术，熟悉FPGA、Verilog等；
（4）具有高精度MEMS传感器相关工作经验者优先，具有低噪声专用集成电路（ASCI）研发相关工作经验者优先。

四、招聘程序：
（一）报名网址：https://www.igg.cas.cn/rcjy/rczp/202603/t20260326_8177950.html；请应聘者登录以上网址查看并填写附件；
（二）报名时间：即日起至2026年4月20日下午16:00；
（三）应聘者须提供以下材料（电子版）：
1.附件1-《岗位应聘申请表》、附件2-《岗位应聘一览表》和附件3-《诚信承诺书》（打印签字后扫描电子版）；
2.身份证、学历、学位证书电子版；
3.论文、专利、专著、代表性论著和有关技能证书电子版；
4.获奖证书电子版；
（四）岗位报名人员请将以上材料的电子版发送至邮箱：********************。注意事项：请在Email“邮件主题”和“附件表格名称”中务必注明岗位名称和应聘者姓名（样例：T250101×××岗－张三－《岗位应聘申请表》），同时附件合计不得大于5Mb。未按要求提交有关应聘材料者，恕不受理；
（五）经初选合格者，将通过电话或Email通知本人来研究所参加竞聘答辩，具体事项另行通知，未收到通知者谢绝来访；
（六）研究所将按照“公平、公正、择优”的原则选拔和聘用优秀人才。