器件工程师

1.9-2.5万·15薪

北京通州区
3-5年
硕士
全职
招2人

芯片

岗位职责:

•负责新型DRAM 存储单元及阵列器件的设计与优化，满足器件性能目标与规格要求。

•使用 TCAD 工具（如 Sentaurus, Silvaco）进行器件仿真、建模与特性表征，评估器件性能并识别可优化方向。

•负责测试结构（Test Key）的设计与布局，用于监控关键工艺参数。

•设计并执行器件测试方案，分析并解决器件性能相关的问题，提出并实施提升器件性能与可靠性的解决方案。

•跟踪 DRAM 技术及半导体行业的最新进展，并将其应用于器件设计与开发流程中。

•与工艺整合、电路设计等跨职能团队协作，确保器件集成与产品开发的顺利推进。

任职要求:

•3年以上半导体器件开发经验。

•硕士及以上学历，微电子、物理、电子工程或相关专业，博士优先。

•深入理解半导体物理、器件建模与工艺集成。

•熟悉半导体制造工艺流程。

•熟悉器件电性测试与调试。

•熟悉器件仿真方法。

•熟悉器件可靠性评估与调试。

•出色的问题解决能力，能够分析复杂的器件性能问题。

•良好的沟通与协作能力，能够在跨职能团队中高效工作。

北京通州区京东贝科技园(西南门)

公司介绍

北京超弦存储器研究院于2020年9月在北京经济技术开发区成立。作为产学研合作平台，研究院聚焦国际先进的存储器技术研发和高端人才培养，致力于实现国产存储器芯片制造技术的持续迭代，努力成长为世界存储器芯片的技术创新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技术的尺寸微缩，在DRAM新架构、新材料、新工艺、先进封装、先进光刻技术、近存计算和高带宽存储等领域，对未来DRAM量产技术可能存在的主要路径开展系统的工艺研发和设计-制造协同优化。目前主要的研究项目包括4F2垂直围栅晶体管动态随机存储器、铟镓锌氧场效应晶体管动态随机存储器、横向堆叠单元存储器、垂直围栅晶体管磁存储器等基于新器件结构的存储器制造技术；基于混合键合技术的高带宽存储器芯片和近存计算、存内计算等芯片的设计和制造；以及先进DRAM制造中的关键光刻技术和设计技术方法学研究等。研究院拥有12英寸先进DRAM研发所需的硬件条件，包括传统的1X DRAM 全流程基础工艺和一系列由特种装备构成的短流程特色工艺；设计制造协同优化所需的软件平台；以及具有丰富的芯片工艺和设计研发经验的技术团队。研究院与清华大学、北京大学、中国科学院微电子研究所等国内外领先的高校院所和集成电路行业领军企业建立了紧密的合作关系，开展基于项目的研发合作。同时，研究院与上述三家院所在人才联合培养方面开展了系统而紧密的合作，为产业研究生的培养提供了研发和实训平台。