太阳能电池外延研发岗

产品方向：InGaP/GaAs/Ge 砷化镓太阳能电池，光电转化效率≥32%（AM0）。
职责描述: 负责 GaAs 系列材料太阳电池外延研发工作，包含外延新产品结构开发、工艺开发及优化等工作，具体职责如下：
1、主导 GaAs系列材料LED，设计优化砷化镓太阳能外延结构（电流匹配、隧道结、应力调控）；
2、攻克 Ge/GaAs 界面反位扩散、失配位错等 MOCVD 工艺难题；
3、负责 MOCVD 设备维护、异常处理与工艺稳定性提升；
4、推动研发成果转入批量量产，实现 AM0 效率 ≥32%。
任职要求：
1、材料、电子、物理、光电相关本科及以上学历；
2、具有 GaAs 太阳电池外延研发技术 5 年及以上工作经验，有 Ge 衬底上生长 GaAs/InGaP 经验者优先；
3、熟悉 XRD、PL、TEM、EQE 等材料与器件表征手段
4、以上皆须熟文书处理软件、材料分析、光学分析、固态晶体、具备半导体物理、缺陷理论及 TCAD 仿真能力者优先。