研发刻蚀工艺工程师

岗位职责：
1.负责先进制程干法刻蚀工艺研发，包括介质刻蚀、金属刻蚀、多晶硅刻蚀、硬掩模刻蚀等方向的新工艺开发与方案设计。
2.基于研发需求完成DOE 实验设计、工艺窗口优化、关键尺寸（CD）控制、刻蚀剖面/选择比/均匀性等核心指标调试与验证。
3.针对先进器件结构（先进封装、功率器件等）进行刻蚀工艺难点攻关，解决高深宽比、刻蚀损伤、微负载效应、聚合物残留等研发问题。
4.独立完成工艺数据整理、机理分析、失效定位，输出研发报告、工艺规范、SOP、专利交底书等技术文档。
5.与光刻、薄膜、离子注入、量测、器件整合等研发团队紧密协作，完成制程整合与流片支持，保障流片成功率与良率爬坡。
6.跟踪国际前沿刻蚀技术路线、新材料与新设备方案，参与技术预研、设备评估与工艺匹配工作。
任职要求：
1.硕士及以上学历，微电子、半导体物理、材料科学与工程、化学工程、光电信息等相关专业，经验丰富能力突出可放宽至本科。
2.5年及以上半导体干法刻蚀研发经验，有逻辑/先进封装/超结产品刻蚀研发经验者优先。
3.深刻理解ICP/RIE/CCP等刻蚀设备原理，熟悉刻蚀气体、腔体条件、等离子体特性对工艺的影响。
4.熟悉国产主流机台(中微/北方华创)。
4.具备独立问题分析与解决能力，熟悉SPC、GR&R、DOE、Minitab/JMP等数据分析方法与工具。
5.熟悉半导体前道制造流程，具备工艺整合（PI）思维，能从器件电性与可靠性角度优化刻蚀工艺。
6.工作严谨细致，具备良好的英文读写能力，可查阅行业论文与技术文档。
7.能适应研发节奏与项目攻坚需求，责任心强，具备良好的沟通协作与创新能力。