芯片研发高级工程师-高频方向

岗位职责
1、高频MMIC电路设计与开发
基于GaAs pHEMT、GaN HEMT等化合物半导体工艺平台进行设计，熟练使用Foundry提供的PDK进行电路仿真；
负责X波段（8-12GHz）、Ku波段（12-18GHz）、Ka波段（26-40GHz）等高频芯片的研发设计；
2、LNA方向：主导低噪声放大器的设计，重点优化噪声系数（NF）、增益平坦度及输入输出驻波比；
3、PA方向：主导功率放大器的设计，重点优化输出功率（Psat/P1dB）、功率附加效率（PAE）、热稳定性及线性度；
4、滤波器/无源方向：负责片上滤波器、移相器、衰减器、耦合器、功分器及等无源结构的电磁仿真与设计。
深入理解GaAs/GaN器件的直流/射频/热学特性，以及工艺偏差（Process Variation）对射频性能的影响；
针对GaN高功率密度特点，进行热分析与散热设计，确保芯片在大功率工作下的可靠性。
5、全链路仿真与版图协同
执行电路级ADS与电磁场级（HFSS/ADS）的联合仿真，确保设计收敛性；
指导版图工程师进行高频版图布局，重点把控射频对称性、接地策略、端口引出及高密度无源器件的版图实现；
进行ESD保护电路设计及Layout-versus-Schematic (LVS) / Design Rule Check (DRC) 检查。
6、测试验证与失效分析
制定高频芯片的测试方案，使用探针台、矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪等设备完成S参数、噪声系数、功率扫描等测试；
分析测试数据与仿真结果的偏差，定位失效原因（如自激、振荡、功率压缩异常等），并提出有效的设计修正方案；
输出完整的Design Review文档及测试报告，推动产品化落地。
任职要求
1、学历与专业背景
本科及以上学历，射频微波、电磁场与微波技术、微电子等相关专业。
（有重大产业化成果者，学历可放宽）。
2、工作经验
5年以上GaAs或GaN MMIC芯片设计经验，必须具备X/Ku/Ka任一或多个波段的完整流片经历；
有LNA、PA、滤波器、移相器中至少两项以上的独立设计经验，且有对应芯片的实测数据支撑；
熟悉主流化合物半导体代工厂（如三安、立昂，WIN等）工艺者优先。
3、技术能力
理论扎实：精通Smith圆图、S参数分析、噪声理论、非线性失真理论及匹配网络设计；
4、工具熟练：
熟练使用ADS进行电路设计；
熟练使用Momentum、HFSS进行无源结构及互连线的电磁仿真；
器件理解：深入理解GaAs pHEMT和GaN HEMT器件的物理结构与大信号模型（如Angelov模型、EEHEMT模型）；
问题解决：具备高频电路调试能力，能独立解决振荡、谐波抑制、端口失配等复杂工程问题。
5、综合素质
具备较强的责任心和抗压能力，能适应快节奏的项目开发周期；
具有良好的技术文档撰写能力和团队协作精神，能与系统、版图、测试团队高效配合。