碳化硅/氮化镓基底金刚石外延研发工程师

一、岗位职责
1. 核心工艺研发：专注SiC、GaN基底金刚石异质外延生长技术研发，主导MPCVD、HFCVD等金刚石生长设备的工艺调试、参数优化，解决基底适配、晶格失配、应力释放、界面缺陷等核心技术难题，提升金刚石薄膜结晶质量、均匀性、附着力与热学、电学性能。
2. 工艺体系搭建：负责建立SiC/GaN衬底金刚石外延标准化工艺体系，完成预处理、形核、生长、后处理全流程工艺开发与迭代，优化衬底抛光、表面改性、过渡层制备等前置工艺，保障外延层与基底的匹配性与稳定性。
3. 实验与数据分析：独立设计DOE实验方案，开展外延生长试验，通过SEM、XRD、Raman、AFM、热导率测试等表征手段，分析材料结构、缺陷、应力及性能数据，建立工艺参数-材料性能关联模型，持续提升产品良率与工艺稳定性。
4. 技术攻关与落地：针对第三代半导体功率器件、射频器件、高导热封装基材的应用需求，开发适配的SiC/GaN基金刚石复合材料技术，解决量产及研发过程中的技术瓶颈，推动新技术、新工艺落地应用。
5.设备与团队协作：负责金刚石外延生长设备的日常运维、参数校准、工艺验证，配合器件设计、封装测试团队完成样品试制、性能验证与技术迭代。
二、任职要求
1. 学历专业：硕士及以上学历，材料科学与工程、半导体材料、微电子科学与工程、凝聚态物理、物理化学等相关专业。
2. 专业能力：熟悉宽禁带半导体（SiC、GaN）材料特性，精通CVD金刚石外延生长技术，掌握SiC/GaN基底异质外延核心原理，了解晶格匹配、界面调控、缺陷抑制、应力优化等关键技术要点。
3. 实操经验：具备MPCVD/HFCVD设备操作、工艺开发经验，熟练掌握金刚石薄膜表征测试方法；有SiC、GaN衬底金刚石生长、涂层改性、复合薄膜制备相关项目经验或从业者优先。
4. 技能储备：熟练使用实验数据分析工具，具备独立设计实验、排查工艺问题、攻克技术难点的能力；具备基础专利撰写、技术文档编写能力，英文读写良好，可查阅前沿外文技术文献。
三、薪资待遇
1. 薪资区间：15K-20K。可享受项目奖金、技术创新专项奖励、年终绩效奖金。
2. 福利保障：五险一金、带薪年假、节日福利、核心员工可享受股权激励、项目分红。
3. 成长体系：完善的技术晋升通道，专项研发经费支持，对接行业科研平台，定期行业技术交流、专家培训。
我们专注前沿半导体材料技术创新，诚邀深耕第三代半导体、金刚石材料领域的技术人才加盟，共拓宽禁带半导体高端市场，实现技术与个人价值双向赋能！